从可见蓝光到不可见的极紫外光，ASML 的光刻机在光和激光方面不断创新
什么是光波长？就像大海中的波浪一样，光以一系列波峰和波谷的形式传播。
峰之间的距离称为波长。
光的波长越短，可以在光刻工艺中印刷的微芯片特征就越小。
在 ASML 的整个历史中，我们一直支持芯片制造商过渡到新的光刻波长，从而使更先进的微芯片成为可能。
向前迈出的每一步都需要对光的产生方式进行创新，从可见蓝光到 ASML 独有的极紫外 (EUV) 技术。
汞灯：从蓝色到紫外线
ASML 成立时，最先进的光刻光源是汞蒸气灯。
这通过使电流通过含有汞的灯泡来产生光。
电流加热汞，直到它变成等离子体，发出各种波长的光。
使用干涉滤光片选择所需的波长。
我们的第一个光刻系统使用这种设置来创建波长为 436 纳米 (nm) 的蓝光，称为汞 g 线。
他们可以打印小至 1 微米（1,000 纳米）的特征。
为了实现更小的功能，我们很快切换到波长为 365 nm 的不可见紫外 (UV) 光。
这些后来的 i-line 系统将特征尺寸推到了 1 微米以下，最终达到了 220 纳米。
激光和深紫外
在 1980 年代中期，行业对更小功能的需求导致又一次转向更短的波长。
而这一次，需要一种全新的制造光的方法：激光。
特别是深紫外 (DUV) 准分子激光器。
这些激光器使用通常不会结合的气体混合物。
然而，当施加足够的能量时，两种气体的原子结合在一起形成激发的临时分子（准分子）。
被激发的分子以光的形式释放多余的能量，其波长取决于所使用的气体。
KrF：DUV 黎明
第一个 DUV 系统使用基于两种元素组合的准分子激光器：氪和氟。
这些氟化氪 (KrF) 激光器产生波长为 248 纳米 (nm) 的光。
150 nm KrF 系统缩小了以前 i-line 系统可能实现的 280 nm 的特征尺寸。
现代 KrF 系统现在可以生产低至 80 nm 的特征。
深入了解 ArF
更深入地了解紫外光谱，下一代 DUV 光刻系统使用氟化氩 (ArF) 准分子激光器，产生波长为 193 nm 的光。
这使得能够打印 38 nm 的特征尺寸。
创造 EUV 光
EUV 光刻是 ASML 独有的一项技术，它使用波长为 13.5 纳米的光。
该波长比 DUV 光短 14 倍以上。
EUV 光自然发生在外太空。
但是为了使 EUV 光刻成为可能，我们需要设计一种方法来在系统内产生这种光。
因此，我们开发了一种全新的方法来为光刻产生光。
在我们的激光等离子体 (LPP) 源中，直径约 25 微米的熔融锡滴以每秒 70 米的速度从发生器中喷射出来。
当它们下落时，液滴首先被低强度激光脉冲击中，使它们变平成薄饼形状。
然后，一个更强大的激光脉冲使扁平的液滴汽化，以产生发射 EUV 光的等离子体。
为了产生足够的光来制造微芯片，这个过程每秒重复 50,000 次。
