System-in-Package (SiP) 是一个精心设计的故事，背景设置在现代半导体行业的大前提下，主角正在稳步推进一个不起眼的情节，即集成（同质或异质），以及一些次要角色（上市时间、产品设计模块化、供应链弹性等）故事无可挑剔的散文——由精确、技术含量高的术语组成，例如双面#SMT 、隔间 EMI 屏蔽、薄膜辅助成型、选择性（或步进）成型、封装内/封装上的天线、3D 堆叠、嵌入式芯片基板——引发了关于成本、性能和可靠性（又名“CPR” ”），由此确立了“比摩尔定律”这一不可磨灭的主题。
⫸ 移动通信的演变：
2G (GSM/CDMA/GPRS) ➟ 3G (W-CDMA/HSPA+) ➟ 4G (LTE) ➟ 5G FR1 (410MHz-7125MHz) ➟ 5G FR2 (24250MHz-52600MHz；又名毫米波或“mmWave”) ➟ 5G FR1+ FR2、UWB/FiRa、6G等
⫸ 移动射频前端（RFFE）系统级封装（SiP）的演进：
分立射频（无 RFFE SiP）➟ 1 个收发器 (Tx/Rx) RFFE SiP 和 2-3 个单片 PA ➟ 3-4 个 RFFE SiP（包括 3-4 个 PAMiD 和 0-1 个 PAMiF）➟ 5-7 个 RFFE SiP（包括 2 个-3 个 PAMiD 和 3-4 个 PAMiF）➟ 7-9 个 RFFE SiP（包括 1-2 个封装天线或“AiP”）➟ 超过 10 个 RFFE SiP（包括但不限于 AiP）。
⫸ 功放模块（PAM）集成演进：
☟ PAMiD：集成双工器的功率放大器模块
☟ PAMiF：带集成滤波器的功率放大器模块
☟ PAMiM：具有集成匹配网络的功率放大器模块
☟ PAMiT：带有集成（天线）调谐器的功率放大器模块
☟ PAMiX：集成 X 的功率放大器模块（待定；可能 X = 毫米波相控阵波束形成器）
⫸ RFFE 组装的演变（即，通过封装复杂性）：
单片 ➟ 单面 2D SiP ➟ 双面 2D SiP ➟ 3D（堆叠）SiP
上述“进化”的三个主要驱动力是：
➊ 不断增加的功能、互连和功率密度，同时受到装配空间预算不断缩减的限制；
➋ 工作频率从 4G (LTE)、5G FR1 (Sub-7GHz) 提高到 FR2 (mmWave) 保证了更紧密的接近性（例如集成薄膜天线的 RFFE、基于 MEMS 的孔径天线调谐和切换，以及有效和可靠的 EMI 屏蔽技术）；
➌ 异构集成，这需要在 SiP 的不同工艺节点上集成多种 IC 技术（CMOS、SiGe/SOI、GaAs、GaN 等），以及无源元件甚至 B2B 连接器。
➟······
---Michael Liu -JCET USA
