AMD官方内存调整和超频指南（amd内存如何超频）

（本文转自techpowerup，可能有些地方翻译有所错误，请谅解。本文详细描述AMD内存超频的选择，对AMD玩家很有帮助）
更新记录：

• 2019年4月4日：完全重写并简化了“内存时序之间的关系”页面

在过去的两年中，AMD与RyZen一起推出了两代高性能处理器。伟大的产品基于具有巨大潜力的全新架构，互联网上仍然充满关于这些产品的恐惧和错误信息，其中一些是品牌的疑虑，而其他则与底层实施的技术和产品的功效有关。性能潜力。这些疑虑是基于对第一代Ryzen处理器发布时产品所面临的批评。
我叫Yuri Bubly（@ 1usmus）。我是Ryzen的DRAM计算器的开发人员，许多BIOS mod的作者，以及与这些处理器相关的数十个主题的策展人。经过两年的研究和开发，我准备分享在Ryzen驱动的系统上优化内存的秘密。通过优化，我特别是要以正确的方式对系统RAM进行超频和调优-不会破坏它。

您可能已经将“ AMD vs. Intel” CPU选择与AMD Ryzen系统上内存超频的复杂性挂钩了。我在这里告诉您，这比您想像的或被人们相信的容易得多。本指南的目的是向您展示购买内存时要寻找的内容，以及如何通过避免常见错误来快速正确地设置系统，以及通过对RAM进行超频获得什么结果。

有人可能会问，内存超频能带来什么真正的好处。好吧，对于初学者来说，我的研究表明，游戏的FPS比默认值提高了+ 50％。听起来很诱人，不是吗？您会发现，Ryzen处理器比Intel处理器对内存时钟速度更为敏感。Ryzen处理器同步Infinity Fabric时钟速度，以与内存时钟成线性比例。这很重要，因为Infinity Fabric是“ Zen”处理器芯片上所有组件的主要互连，包括两个CCX（Zen计算中心）之间的所有重要链接。
由于要涵盖的变量和细微差别众多，因此该材料将分为两个部分：（1）理论，其中包含与内存设置和测试有关的所有详细信息的描述，以及（2）结果，其中展示优化结果对游戏的影响。

专业术语

以下是与对Ryzen驱动的机器进行超频相关的技术术语列表。Ryzen使用行业标准的DDR4内存体系结构，因此您可能熟悉其中一些术语。其他一些术语是新的，并且特定于“ Zen”体系结构。

• SOC电压-片上系统电压; 负责与内存控制器相关的电压。
  限制：最高1.2V。
• DRAM引导电压-系统启动时进行内存训练的电压。
  限制：最高1.45–1.50V。
• VDDP电压-设置存储器内容的晶体管的电压。
  限制：最高1.1V。
• CLDO VDDP电压-SoC上DDR4 PHY的电压。DDR4 PHY或物理层接口将来自内存控制器的信息转换为DDR4内存模块可以理解的格式。
  有点与直觉相反，降低VDDP通常比提高CLDO_VDDP更有利于稳定性。高级超频者还应该知道，更改CLDO VDDP可以移动或解决内存漏洞。VDDP的微小变化会产生很大的影响，并且不能将VDDP设置为大于VDIMM-0.1 V（不超过1.05 V）的值。如果更改此电压，则需要冷重启。
  限制：最高1.0V。
• VPP（VPPM）电压-确定访问DRAM行的可靠性的电压。
  限制：高达2.7V。
• Vref电压-存储器参考电压; “配置” CPU和内存模块的电压电平将被认为是“ 0”或“ 1”的电压电平分开；也就是说，内存总线上MEMVREF以下的电压应视为“ 0”，而高于该电平的电压应视为“ 1”。默认情况下，该电压电平为VDDIO的一半（aka 0.500x）。一些主板通常允许用户通过两个选项来更改此比例：（1）“ DRAM Ctrl Ref Voltage”（用于内存总线的控制线； JEDEC的官方名称是VREFCA），以及（2）“ DRAM Ctrl Data Ref Voltage”（用于来自存储器总线的数据线； JEDEC的正式名称为“ VREFDQ”）。这些选项被配置为乘数。
• VTT DDR电压-用于控制总线阻抗以实现高速并保持信号完整性的电压。这是通过电阻器并联端接完成的。
• PLL（1P8）电压-此选项可用于在高BCLK时稳定CPU。
  限制：最高1.9V。
• CAD_BUS-命令和地址总线；适用于能够高速（> = 3466MHz）训练内存，但由于信号问题而无法稳定内存的用户。我建议您尝试减小与“命令和地址”相关的驱动电流（增大电阻）。
  限制：无。
• CAD_BUS时序-收发器延迟。值设置位掩码。
  限制：无。
• procODT-电阻值（以欧姆为单位），用于确定如何终止完整的存储信号。较高的值可以帮助稳定较高的数据速率。
  限制：无。
• RTT（信号完整性优化）-在DDR4接口上使用多个等级的DRAM需要额外的选项，以便为各个等级选择片上终端电阻。
  DDR4 DRAM提供了一系列的终端电阻值。如果启用了动态管芯端接，则通过初始芯片配置和DRAM操作命令的组合来选择呈现给接口的特定DQ引脚接收器电阻。
  限制：无。
• 减速模式-允许DRAM设备使用其内部生成的½速率时钟运行，以锁存在命令或地址总线上。
  速度高于DDR4-2667时默认为ON。但是，随存储套件的不同，开启与关闭的优势也会有所不同。启用减速模式将覆盖您当前的命令速率。
• 掉电模式-通过在一段时间不活动后使DRAM进入静态，可以适度地节省系统功率，但会增加DRAM延迟。
• 理论：无限结构和RAM类型

正如我们前面提到的，Infinity Fabric是AMD部署的最重要的互连，用于链接“ Zen”处理器上的各种片上组件，包括CPU计算复合体（最多4个CPU内核的组）。Infinity Fabric具有自己的时钟域，尽管该时钟与内存时钟速度同步。
从结构上讲，Infinity Fabric是256位双向总线。在Ryzen处理器的六核和八核模型的帮助下，两个四核复合体（CCX）与其他模块交换数据，包括根PCIe复合体和南桥。Infinity Fabric的频率已设计为与系统RAM的频率匹配。例如，如果内存控制器工作在DDR4-2133上，则开关的矩阵将以1066 MHz的频率进行同步（回想一下，有效频率在内存名称中指明）。这意味着更快的内存可让您增加内部Infinity Fabric连接的带宽。
在创建多核处理器时，这项技术带来了广阔的前景。我还想指出，此总线的更新版本将在新的Zen 2处理器中实现，这些处理器是AM4封装上最多三个芯片的多芯片模块，最多两个CPU芯片和一个I / O控制器芯片。

查看图片，您可以看到这种情况下的瓶颈是RAM。我们需要高频率和低延迟才能更快地访问数据。

记忆类型

在过去的十年中，英特尔一直在人们的脑海中传播RAM是装饰性组件的想法。有时，它具有装饰性的LED照明或时尚的散热器，看起来很酷。通过一般的想法，即RAM更多地与样式有关，人们不再考虑其真正意义。
目前，RAM市场上有大量的选择可能使我们感兴趣，并且大量功能试图使它们与竞争对手区分开。这些功能中的一些功能很棒，但是某些功能可能对某些用户完全没有用。一个人如何选择最适合自己的呢？
用于超频的最佳内存之一（可能是根据我的测试得出的最佳内存）是三星b-die（20纳米）RAM，通常开箱即用地具有创纪录的频率和延迟。我想在这里强调一个重点-您不必购买昂贵的套件即可获得4200+ MHz令人印象深刻的高频信号，从而获得所需的性能。在大多数情况下，对这种套件进行超频将可与CAS延迟（“ CL”）为14的3000 MHz套件进行比较。当然，硅彩票始终是一个因素，并且可能会证明3000 MHz CL14上的套件可以胜过运行不稳定的3600 MHz套件。我将在本文后面的部分中介绍一些我回顾过的记忆，以进行演示。
检查清单上的第一个是G.Skill Sniper X 3400C16。这是单列DIMM，具有无明显的存储设置和时序，至少与超频后获得的结果相反。

上面的屏幕截图显示，花时间超频内存是值得的。我在CL14上可以达到3667 MHz的速度。在其他测试中，我还设法在这些模块上达到了CL14所珍视的3733 MHz，但并非没有使用1.51 V的相当高的电压。我认为1.51 V不适合日常使用，因为它会降低性能并降低性能。内存模块过早死亡。

在我推荐的内存列表中，接下来是基于SK-Hynix CJR芯片（18 nm）的模块。为了说明这一点，我使用了一组G.Skill Sniper X 3600 C19模块。该内存套件几乎是基于三星b-die的Sniper X 3400内存价格的一半，并且没有“ AMD Ryzen兼容”标签。认为像Flare X一样，Sniper X系列也是“ Ryzen友好型”产品，许多不知情的Ryzen买家可能会被此套件吸引。
使用该套件，我能够在CL16频率上达到3933 MHz，这是我发现的关于频率和吞吐量的绝对频率记录。不过，我必须为此付出一些CAS延迟。

这不是极限！将其进一步提高到4000 CL16是现实的。

因此，我的计算器的最新版本为带有SK-Hynix CJR内存模块的内存套件提供了高达3867 MHz的预设。
今年还推出了新的Micron H / E-die（16 nm）存储模块。不幸的是，我还无法接触到这些芯片。根据我的同事进行的一些初步测试，该内存同样擅长超频，因此值得考虑使用这些内存模块的套件。
那双列DIMM呢？相比之下，目前对双列RAM配置超频的结果非常可悲。内存控制器目前难以处理四个等级。使用Samsung b-die内存模块可以达到3400 MHz CL14，使用Hynix CJR内存模块可以达到3600 MHz CL16。根据我的测试，使用四个等级的唯一好处是，由于等级技术的影响，容量的增加和交替都令人印象深刻，这增加了游戏的系统性能。
考虑到AMD的文档指出，当使用两个双列模块时，Ryzen处理器限于2400 MHz，因此3600 MHz CL16仍然是一个很大的收益。到目前为止，双排位是内存制造商能够构建客户端段16 GB模块（构成32 GB双通道套件）的唯一方法。如果确实需要超过16 GB的RAM，则必须相应地降低对超频的期望。

理论：主板的类型

目前，有许多主板具有不同的芯片组供您选择，这些主板具有不同的外形尺寸和各种隐藏功能。但是，Ryzen系统上的内存超频的一项关键功能是DIMM拓扑和内存插槽数量。

双插槽

为了获得最快的RAM频率，可能需要双插槽主板，例如ASUS ROG STRIX B450-I Gaming。由于缺少两个额外的存储插槽，因此大大提高了线路上信号和反射的质量。但是，这确实会限制容量并提高净空。

接下来是实现菊花链拓扑的电路板。它们的优势在于处理器与A2和B2内存插槽之间的线路（总线）长度的优化。华硕ROG Crosshair VII，华硕Prime X470-Pro和MSI X470 Gaming M7 AC就是采用这种方式的主板。

为了完成这些板子的列表，还有那些具有T型拓扑的板子（即ASUS ROG Crosshair VI和ASRock X470 Taichi）。相比之下，这些板卡对内存的中频性能极低-高达3466–3533 MHz。这种板的主要优点是四个模块配置都具有超频潜力。

理论：调整RAM / SOC的顺序

最重要和最基本的步骤是能够以所需的频率启动系统。为此，我们需要在BIOS中手动设置特定设置：

• XMP内存配置文件（某些主板制造商使用不同的名称，但功能未更改）
• RAM的频率（这是用户所需的频率）
• BCLK频率（如果主板在BIOS中支持此设置）
• 计时（由计算器建议）
• SOC和DRAM的电压（由计算器建议）
• procODT + RTT值（NOM，WR和PARK）。

有关更多详细信息，可在此处找到用于Ryzen的DRAM计算器教学视频。

首先，从计算器输入procODT + RTT的参数（NOM，WR和PARK），尝试使用推荐值和替代值，直到系统出现最少错误为止。为此，请使用带有基本预设的TM5 0.12测试软件包。当然，这不会消除可能出现的所有错误。为此，我们还需要继续下一步。
接下来，找到DRAM和SOC的最佳电压，这将进一步减少系统的错误数量。首先，为SOC选择电压，然后为DRAM选择电压（计算器会告诉您每种电压的可用范围）。有时，数字万用表或电压监视软件可以帮助确定BIOS中设置的值是否为实际交付的数量。这些可能不匹配的原因有很多，超出了本文档的范围。但是由于可能会产生影响，因此无论设置了哪个值都无法建立稳定性，因此最好使用诸如HWInfo之类的程序来验证电压。要检查错误，请使用带有基本预设的TM5 0.12测试包。

在一半的情况下，您可以在此阶段获得一个完全稳定的系统。如果TM5 0.12测试包没有发现错误，请增加测试程序的范围以检查稳定性。这些可以包括Linx，HCI，Karhu和其他程序。如果这些程序都没有发现错误，请继续下一步-调试。
如下图所示，调试的主要目标是更改某些时间。

您应该检查每个定时调整如何影响系统的稳定性。我不建议一次更改所有提到的时间。在此阶段，耐心是关键。一次做一个变量。如果测试的时序不能改善情况，请将其重置为先前值，然后检查列表中的下一个时序。
此后的任何进一步建议和所有其他步骤均适用于熟悉超频的经验丰富的用户（通常有一个月以上的经验）。我将主要以流程图的形式显示这些步骤，并在这些图像上方指示主要参数。

调整CAD_BUS 调整附加电压

每个图列出了每个阶段要尝试的一组参数。我以具有较高优先级设置的方式创建了这些图，这些设置可以提高首先检查的稳定性。当然，您可以采取其他方法，因为目前尚无明确的规则和法律可用于使系统稳定的设置。

时间：限制和好处

最近，我注意到内存优化已成为某些人的狂热爱好，其结果可能会令他们和其他用户满意。实际上，在极低的时间运行系统将无法保证最佳性能。根据我的研究结果，事实并非如此。有时，低时机甚至可能是“冻结”的原因。
我使用不同等级的内存（SR 3466和DR 3200）广泛测试了计时对游戏性能的影响。处理器超频至4.2 GHz。在这些测试中使处理器超频的主要原因是使内存成为整个系统的瓶颈。在这两种情况下，我都将XMP预设与手动调整每个时序所获得的结果进行了比较。我更改的时间已加粗。我可以根据自己的判断选择交替调整的时间优先级，从最重要的到次要的。

您可能会注意到，低估某些时间（例如tWTRS）可能会对系统性能产生不利影响。还可以得出结论，尽管XMP配置文件被称为“ eXtreme”，但它不是极端的。平均而言，XMP配置文件调整可使您获得高达14％的平均FPS。同样，在大多数情况下，XMP配置文件的另一个缺点是系统的稳定性。专注于计算器的建议，选择最佳时序以获得最佳游戏性能应该没有问题。

记忆时序之间的关系

DRAM访问延迟已成为当今系统性能的关键瓶颈，因为现代计算机主要使用DRAM内存。尽管由于制造工艺技术的扩展而使DRAM容量增加，但数十年来访问延迟并未显着降低。由于不断增加的内核数量，现代应用程序越来越密集地使用数据，并且对增加内存带宽和DRAM访问延迟的固有限制正日益成为改善整体系统性能的障碍。

基本DRAM操作

访问DRAM中的数据时，需要执行五项基本操作。

• 激活将打开存储体中的DRAM行之一，并将打开的行中的数据复制到行缓冲区中。
• 恢复可确保在激活期间从DRAM行中每个单元中流失的电荷恢复到满水平，以防止数据丢失。
• 一旦将已激活行的数据复制到行缓冲区，就可以执行读写操作。
• 当存储控制器完成对激活的行的读写操作后，预充电会从行缓冲区释放数据，并准备好存储体以激活其他行。

其中，DRAM访问延迟主要由三个操作的延迟组成：激活，恢复和预充电。
上图显示了发出的命令的时间轴，以执行对单个高速缓存数据行的读取（顶部）或写入（底部）操作。内存控制器发出四个命令：（1）ACT（激活），（2）READ或（3）WRITE和（4）PRE（预充电）。请注意，恢复没有明确的命令，而是在ACT命令之后自动触发的。每个操作所花费的时间由DRAM供应商确定的一组定时参数决定。尽管每个命令都以行粒度进行操作，但为简单起见，我们描述了DRAM操作如何影响单个DRAM单元。

在初始预充电状态（1）中，位线保持在VDD / 2的电压电平，其中VDD是完整的DRAM电源电压。字线为0 V，因此位线与电容器断开连接。在存储器控制器发出ACT命令（2）之后，字线被升高到Vh，从而将DRAM单元电容器连接到位线。如在该示例中一样，电容器的电压高于位线的电压，电荷流入位线，从而将其电压电平提高到VDD / 2 +δ。此过程称为电荷共享。然后，读出放大器测量位线上的偏差，并相应地放大该偏差（3）。此阶段称为读出放大，最终将位线和单元的电压电平驱动回到单元的原始电压状态（在此示例中为VDD）。
一旦读出放大器已经充分放大了位线上的数据（例如，电压电平达到3VDD / 4），则存储控制器可以发出READ或WRITE命令来访问行缓冲区中的单元数据。如第一幅图所示，在ACT命令之后达到此状态（3）所需的时间由定时参数tRCD指定。发出READ或WRITE命令后，感测放大阶段将继续驱动位线（4）上的电压，直到位线和单元的电压电平达到VDD。换句话说，对于一次读取，该单元的原始充电水平已完全恢复到其原始值，或者对于一次写入，已被正确更新为新的值。
对于DRAM读取请求，在ACT之后要完全恢复的单元的等待时间由定时参数tRAS确定。对于DRAM写请求，完全更新单元所花费的时间由tWR确定。恢复后，可以使用PRE命令对位线进行预充电，以准备子阵列以备将来访问其他行。该过程通过降低字线上的电压将单元与位线断开。然后，它将位线的电压重置为VDD / 2。完成预充电操作的时间由定时参数tRP指定。

tRCD和tRAS时序可能大大低于数据手册中的时序。怎么样？

传统的DRAM芯片使用固定的等待时间执行激活和恢复操作，该等待时间由第一张图片中所示的时序参数的值确定。然而，存在通过利用电池的当前电荷水平可以减少激活和恢复潜伏期的方式。如果一个单元具有高电荷水平，则激活期间位线上的相应电压扰动过程会更快，因此，读出放大器需要更少的时间才能到达第二张图片中的状态3和4。“ ChargeCache”是一种先进的机制，利用这种见解可以安全地减少高电荷电池的tRCD和tRAS时序参数。
ChargeCache跟踪最近访问过的行，这意味着它们的单元格具有较高的电量，因为自上次将单元格恢复到完全电量级别以来仅经过了很短的时间。因此，如果最近访问的行在短时间间隔（例如1毫秒）内再次被激活，ChargeCache将对该行使用较低的tRCD和tRAS值，这将减少总体DRAM访问延迟。可以应用类似的方法来减少恢复延迟。在常规DRAM芯片中，每个ACT命令触发恢复操作，该操作完全恢复激活行中单元的电荷水平。同样，每个刷新操作将以固定的时间间隔（DDRx DRAM中每64 ms）完全恢复单元的电荷水平。
还有一种“还原截断”机制，该机制可以部分还原单元的电量，足以保留正确的数据-直到单元的下一次刷新。此机制的控件之一是tWR和tRAS时序。
我的文章中已发布的一些预设使用了这些机制，因此建议您不要在Internet上找到典型的公式。

结论

• 由于DRAM单元由电容器组成，因此即使不访问该单元也会泄漏电荷。为了防止数据丢失，DRAM必须向所有单元发出定期的刷新操作。刷新操作使单元的电荷水平恢复到其全部值。
• 借助恢复截断机制和ChargeCache，现代内存芯片可让您设置激进的时间间隔。
• SDRAM芯片使您可以在某种意义上并行执行第三和第四操作。准确地说，可以在发出请求的数据包的最后一个数据元素的那一刻之前，将PRECHARGE线路充电命令发送一定的滴答声x，而不必担心所传输数据包出现“中断”情况（如果向PRECHARGE命令发送的读取命令的时间间隔小于x，则会发生后者）。
• 为防止单元中的数据丢失，可以增加DRAM电压或更改负责预充电和刷新的时间特性。调整tRP和tRFC将产生最大的影响，tWR和tRTP也可以提供帮助。我不建议将tWR的值提高到12以上。
• tRC> = tRAS + tRP。在大多数情况下，这应该是最佳公式。
• tRAS = tRCD + tCL。对于这个时间，我没有一个明确的定义，它可以等于tRCD + tCL，但有时由于上述机制而大大降低。同样，不要忘记余量，其极限是完全由实验手段确定的，因为每个芯片的电池特性都不同。
• 对于高频，我使用第一张图片中的公式。tRAS = tRCD + tBL + tWR（调整为12或10）。DDR4的tBL = 4或2。
  理论：procODT，RTT和CAD_BUS

我想特别注意重要的术语“ procODT”和“ RTT”，描述它们的影响，如何调整它们以及它们可以告诉我们什么。
正如我之前提到的，当第一代Zen处理器发布时，用户面临着许多问题。评论中出现了恐慌，论坛上的真正专家很少。从字面上看，内存无法超频。一段时间后，受人尊敬的“ Stilt”的第一个预设出现了，它们是AMD社区的奇迹，但是，秘密和依赖性并没有被发现。今天，我将关闭过去两年中文档和指南中最大的漏洞。
论坛上最常见的Ryzen内存问题之一是“内存超频依赖于什么？”
在我们的案例中，超频的成功取决于三个组件：主板，IMC（内存控制器）和内存本身。

主板选择

所有基于3xx芯片组的板均具有T型拓扑，并且在大多数情况下，最大内存时钟被限制为3466 MHz，同时不干扰CAD。如果我们设法配置CAD，那么我们可以获得3600 MHz。为了理解为什么超频仅限于如此低的频率，我们应该查看主板的PCB。

PCB上的每个信号走线都是一条导体，一条信号线。每个痕迹都会对其他痕迹产生不利影响。最重要的是，存在寄生连接的可能性（寄生电感和高频干扰）。为了消除负极连接，每个主板设计人员必须正确设计所有信号走线。

上图是这样的设计更改，它增加了“曲线”，代替了直线，可以显着改变信号线的功能。
同样，形状因数，PCB层数和导体组成也会影响母板的质量。对于电路板，通常会为更昂贵的产品提供更多的设计时间，并且通常使用质量更高的基本组件。
如何识别高质量的主板？procODT。并且工作procODT越低，在此主板上可获得的结果越好。特别是为了更好地理解，我为您创建了几个表，它们可以向您显示差异。

结果，我们看到了主板之间的巨大差异。我认为这是用户的主要问题之一。在他们的选择中，我认为主板的审阅者有罪。在过去的两年中，我还没有在YouTube上看到过评论，在该评论中，我们对主板的拓扑及其功能进行了评论。他们查看包装盒，包装盒的内容，RGB模式，VRM冷却效果是什么样的，或者审阅者穿着的漂亮的发型/ T恤。
没有评论可让您真正了解VRM功能。取而代之的是，使用的数字仅在25°C的理想条件下以及完美的表面安装条件下才存在于数据表中。一个值乘以其他值。
另外，我为您提供两项建议，即购买主板时应注意的事项。
1）这是DRAM和VTT DDR电压阶跃。有些板的VDRAM阶跃为0.01 V，有些板的为0.005V。也就是说，在第一种情况下，我们得到1.35 V，1.36 V，依此类推，在第二种情况下，我们得到1.35 V，1.355 V，1.36 V在第二种情况下，我们将大大增加稳定DRAM的机会，因为任何过高的电压都可能导致错误。
2）您在BIOS中设置的DRAM电压并不总是准确的。它可能会更低，也可能会更高。有时在某些情况下，VTT DDR最终不会成为DRAM电压的一半。您将需要相应地调整其他值。回忆一下公式，V​​TT DDR = 1/2 * vDRAM。具有步长的电路板会自动获得优势。

记忆选择

我经常在论坛上听到“那里有三星b-die，但是它们工作频率低，电压高，这是AMD不能怪的。” 我会解释。RAM模块不仅由特定制造商的芯片组成，而且还包括PCB上的一些信号线。电容器（带子）以及芯片装仓当然会产生巨大影响。
例如，我们可以使用Samsung b-die芯片从Corsair中找到RAM，但不会发现该产品破坏了记录（如果您查看Ryzen平台）。相比之下，还有G.Skill Sniper-X 3400c16，与Corsair模块相比，它看起来并不特别。但是，如果我们比较所达到的频率，那么使用G-Skill套件的结果将是3200-3466 MHz与3666-3733 MHz。因此，在选择RAM时，我建议您访问论坛。
多个存储芯片组合成一个模块，这使得其中一个芯片具有独特的频率-电压特性成为可能。这样的芯片可能需要比其同级产品多几步的电压才能稳定在某个频率上。这样，其他芯片可能会由于电压升高而变得不稳定。对于用户而言，理想的选择是购买一套出厂超频超过3600 MHz的套件。这将给您额外的保证，即所有芯片都可以达到目标频率。

内存控制器

在大多数情况下，两代Ryzen的内存时钟都限于1733-1766 MHz（DDR-3466至DDR-3525）。当然，有些实例可以更高的频率运行。为了使我们的内存控制器的生活更轻松，可以使用能够以非常低的procODT运行的内存模块，这会大大改变信号匹配。根据AMD的说法，内存控制器procODT的工作范围在40到60欧姆之间。68欧姆已经在绿色区域之外。该区域的稳定性将在很大程度上取决于CAD设置和母板的质量。

上表显示了如何根据频率更改procODT / RTT。
为帮助理解，请想象一下机械表的表盘。procODT将计算小时数，RTT_PARK将计算分钟数，而CAD将充当秒针。对于每个频率，手表的表盘将显示不同的结果。
为了稳定系统，首先我们必须检查相邻的RTT / PARK值，然后才尝试更改procODT。您不应该急于更改CAD，因为变量太多，可能会浪费大量时间来稳定系统。有几种选择CAD的算法，但是目前我不能肯定地说它们的有效性。我认为CAD与基本值24-24-24-24之间不会有显着差异，并且在大多数情况下，其中一个值可以上下波动。也就是说，对于3466+ MHz的频率，选项24-30-24-24可能具有额外的安全裕度。
请记住，每次BIOS更新都可以更改工作procODT或RTT。

电压对procODT和RTT的依赖性

我做了一点测试，对procODT和DRAM电压使用了不同的设置。这个想法是在测试过程中避免BSOD。

根据在此简单而简短的测试中获得的结果，我们可以得出以下结论：更改procODT后，DRAM的稳定工作电压可能会发生变化。RTT对存储器的工作电压也有轻微影响。

冷启动或双启动

没有Ryzen的用户没有遇到过冷启动或两次启动（有时甚至两次）。我可以立即向您保证，这没有错。这与记忆训练密切相关。当系统第一次无法启动时，将触发算法，该算法将更改用户无法访问的某些设置，然后尝试再次启动系统。procODT，RTT和CAD可能会影响此现象。
有时，外部时钟会产生双重启动。无论如何，请尝试遵循计算器的建议。

方便的技巧和窍门

• 请勿使用对SOC和DRAM而言过高的电压。计算器会告诉您应该尝试在哪个值范围内获得稳定的结果。通常，最佳SOC值介于0.97–1.025 V之间。
• 当骑行或下降沿发生在与理想时间不同的时间时，会发生抖动。一些边缘较早发生，一些边缘较晚发生。在数字电路中，所有信号均参考时钟信号进行传输。由于反射，符号间干扰，串扰，PVT（过程电压-温度）变化和其他因素而导致的数字信号偏差导致抖动。一些抖动只是随机的。
• 始终为RAM使用额外的冷却装置。较低的电压也意味着较少的热量。通过减少热量，可以减少热辐射和衰减，从而使系统更稳定。
• 当系统不开机自检，有大量错误或发生BSOD时，需要更改procODT或RTT。
• 可以通过手动更改以下时间来解决单个错误和罕见错误：（1）tFAW（tRRDS * 4 <=最佳值<= tRRDS * 6），（2）将tRRDS增加1或2，或（3）更改tRTP（从1/2 * tWR到12）。
• 可以通过将tRDWR（从6更改为9）和tWRRD（从1更改为4）来修复单个错误和罕见错误。请注意，时序必须成对配置。示例：tRDWR 6和tWRRD 2，tRDWR 6和tWRRD 3，tRDWR 6和tWRRD 4，tRDWR 7和tWRRD 1，依此类推。
• 可以通过更改tRFC修复单个错误和罕见错误。计算器为tRFC提供了几种选择。同样，不要忘记tRC是tRFC的倍数。例如，tRC = 44-> tRFC 6（或8）* 44；不需要为Ryzen配置tRFC 2/4。
• 启用Geardown可以提高系统稳定性。
• VDDP可以提高系统的稳定性。推荐范围是855 mV至950 mV。尝试以10–15 mV的步长增加它。
• 禁用扩频可以提高系统的稳定性。
• 错误的来源也可能是Windows，这不一定是超频问题。
• 将tRCDRD和tRP增加1可以提高稳定性并降低存储器电压要求。
• 禁用RTT_NOM有时会具有更好的稳定性。
• 增加RTT_PARK或procODT的电阻可以提高稳定性。
• 不要忘记遵循规则tRC = tRAS + tRP。
• CLDO_VDDP。最佳值：默认（850 mV），950 mV，945 mV，940 mV，915 mV，905 mV，895 mV，865 mV和840 mV。
• 即使tWRWR SCL和tRDRD SCL的值也可以提高系统稳定性。例如4-4或6-6。
• 处理器超频过多可能会对RAM的稳定性产生负面影响。
• CAD_BUS 24 30 24 24可用于具有两个模块的配置，而24-20-24-24可用于包含四个模块的配置。
• 请注意主板BIOS更新，其中包括AGESA的更新，因为较新的版本改进了内存调整功能。

用于性能测试的预设

发布的所有预设都具有完全的稳定性。不要忘记没有通用预设；主板，内存和处理器的不同拓扑始终是彩票。如果不稳定，请首先尝试SOC和DRAM的相邻电压。
更多信息和预设可以在Ryzen的DRAM计算器中找到。
2133 MHz-默认

• SOC电压：自动
• 内存电压：自动
• 省电模式：自动（启用）
• 减速模式：自动（启用）

三星b-die 3200 MHz CL14 XMP（单列）

• SOC电压：1.025 V
• 记忆电压：1.35 V
• 省电模式：自动（启用）
• 减速模式：自动（启用）

三星b-die 3200 MHz CL14（单列）

• SOC电压：1.025 V
• 记忆电压：1.36 V
• 掉电模式：禁用
• 减速模式：已禁用

三星b-die 3200 MHz CL14（双列）

• SOC电压：1.025 V
• 记忆电压：1.37 V
• 掉电模式：禁用
• 减速模式：启用

三星b-die 3200 MHz CL14（多列）

• SOC电压：1.025 V
• 记忆电压：1.35 V
• 掉电模式：禁用
• 减速模式：已禁用

三星b-die 3200 MHz CL12（单列）

• SOC电压：1.025 V
• 记忆电压：1.50 V
• 掉电模式：禁用
• 减速模式：已禁用

三星b-die 3333 MHz CL14（双列）

• SOC电压：1.025 V
• 记忆电压：1.39 V
• 掉电模式：禁用
• 减速模式：启用

三星b-die 3400 MHz CL14（多列）

• SOC电压：1.025 V
• 记忆电压：1.39 V
• 掉电模式：禁用
• 减速模式：启用

三星b-die 3466 MHz CL14（单列）

• SOC电压：1.025 V
• 记忆电压：1.42 V
• 掉电模式：禁用
• 减速模式：已禁用

三星b-die 3533 MHz CL14（单列）

• SOC电压：1.025 V
• 记忆电压：1.44 V
• 掉电模式：禁用
• 减速模式：已禁用
• RTT_PARK：48欧姆（RZQ / 5）或60欧姆（RZQ / 4）

三星b-die 360​​0 MHz CL14（单列）

• SOC电压：1.1 V
• 记忆电压：1.45 V
• 掉电模式：禁用
• 减速模式：启用

Hynix CJR 3200 MHz CL14（单列）

• SOC电压：1.025 V
• 记忆电压：1.37 V
• 掉电模式：禁用
• 减速模式：已禁用

Hynix CJR 3200 MHz CL14（多列）

• SOC电压：1.025 V
• 记忆电压：1.37 V
• 掉电模式：禁用
• 减速模式：已禁用
• procODT：48欧姆
• RTT_NOM：34欧姆（RZQ / 7）
• RTT_WR：已禁用
• RTT_PARK：40欧姆（RZQ / 6）

Hynix CJR 3400 MHz CL14（单列）

• SOC电压：1.025 V
• 记忆电压：1.45 V
• 掉电模式：禁用
• 减速模式：已禁用

Hynix CJR 3466 MHz CL16（单列）

• SOC电压：1.025 V
• 记忆电压：1.35 V
• 掉电模式：禁用
• 减速模式：已禁用

Hynix CJR 3600 MHz CL16（单列）

• SOC电压：1.1 V
• 记忆电压：1.40 V
• 掉电模式：禁用
• 减速模式：启用

Hynix CJR 3800 MHz CL16（单列）

• SOC电压：1.1 V
• 记忆电压：1.42 V
• 掉电模式：禁用
• 减速模式：启用

Hynix MFR / AFR，微米b-die 3200 MHz CL16（单列）

• SOC电压：1.025vV
• 记忆电压：1.35 V-1.37 V
• 掉电模式：禁用
• 减速模式：启用

测试设置和软件

测试系统处理器：AMD锐龙2700X母板：微星X470 GAMING M7 AC
AMD X470，BIOS V1.51记忆：2个8 GB G.SKILL Sniper X 3600C19
（Hynix CJR 18 nm，单列）记忆：2个8 GB G.SKILL Sniper X 3400C16
（Samsung B-die 20 nm，SR）记忆：2个16 GB G.SKILL Trident Z 3000C14
（Samsung B-die 20 nm，Dual Rank）存储：三星970 PRO 512 GB SSD图形：微星GeForce GTX 1080 Ti GAMING X电源：海盗船HX750i冷却器：NZXT海妖X62软件：Windows 10 64位
Fall Creators更新驱动因素：NVIDIA GeForce 417.35 WHQL

• Ryzen™1.4.1的DRAM计算器
• 用于Ryzen™的DRAM计算器的视频说明
• YouTube上的Larry B
• Linx 0.7.0 2019
• TM5 0.12（基本预设）
• 配置为TM5 0.12
• 素95

AIDA 64

SiSoftware桑德拉

对处理器的多核效率进行基准测试，表明与其他典型处理器相比，处理器内核及其互连的效率如何。
测量了核心处理数据块并将其传递到另一个核心以处理不同大小和不同链大小的能力（生产者-消费者范例）。因此，对内核之间的互连效率进行了基准测试；但是，内核（和处理器）的数量也可以算作更多的数据缓冲区可以同时处理（也称为“运行中”）。

在此测试中，我想向您展示时序和频率如何影响处理器的多线程性能。我们可以看到Infinity Fabric的延迟（21–28％）和吞吐量方面的改善（+ 17％）。这是一种仅在Ryzen处理器上可用的独特现象。

Cinebench 搅拌机

不幸的是，内存超频并不能显着提高主要在片上处理器缓存中运行的工作负载，而只有很少的内存访问。

Futuremark 3DMark

地铁出埃及记

您可能会问为什么我选择了如此低的图形设置。我只是想向您展示不依赖于图形卡功能的结果；不会有GPU瓶颈。
该游戏（与其他许多游戏一样）对超频的响应良好。我们可以看到最高提升了28％（平均FPS）。此测试中的最低FPS完全不可预测，可能是因为游戏引擎尚未正确优化。这通常是在补丁程序中修复的。

刺客信条：奥德赛

在此游戏中，即使在最低质量设置下，图形卡也存在部分瓶颈。GPU的最小核心负载为85％。这意味着该测试是混合场景，并且为了释放Ryzen 7 2700X处理器的潜力，您可能需要比GeForce GTX 1080 Ti更强大的图形卡。
不过，由于RAM正确超频（平均FPS + 30％），我们可以观察到性能显着提高。

巫师3

古墓丽影的影子

结论

不幸的是，Internet上有很多评论和文章没有对内存的微调给予足够的重视，而且我并不是在谈论XMP配置文件，在许多情况下，XMP配置文件并不完全稳定或不能提供中等性能（在Ryzen上） 。例如，由于缺乏稳定性，我没有在本指南的测试中包括典型的XMP 3600 CL16-19配置文件。尽管处理器以默认模式工作，本文中的手动优化设置仍显示出巨大的FPS提升。游戏中的平均处理器频率范围是3975至4075 MHz。
我在测试期间遇到的更有趣的问题之一是，当处理器以4200 MHz运行时，内存有不稳定的趋势。原因是CPU和内存超频并不是完全独立的-从物理上讲，它们形成一个单元，因此一个会影响另一个。处理器和RAM位于秋千的相对侧。极度超频的处理器意味着，在锁定RAM方面，我们损失了一些步骤。
因此，如果您主要将机器用于游戏，我不建议您只关注处理器超频。在任何游戏中，图形卡都是整个系统中最薄弱的环节。在每个游戏中，内存超频都会提高性能。一张RTX 2080 Ti不足以满足您的需要，在某些游戏中，假设您的游戏支持SLI，则可能需要两张SLI中的RTX 2080 Ti显卡才能释放处理器的潜力。
毫无疑问，三星的芯片是Ryzen内存中最好的。3200 MHz CL14有一些选项，您也可以达到4200 MHz CL18，但是在大多数情况下，您会为此多付钱。三星芯片上的所有内存均可在3533 MHz CL14上正常工作。如果您不想为三星付出高昂的代价，我建议您专注于Hynix CJR，这使G.Skill Sniper X 3600 C19成为一个合理的选择。目前，2x 8 GB套件的零售价为120美元。您将获得可与Ryzen处理器完美搭配的经济高效的高质量存储套件。
我的建议是还应该在论坛上询问何时选择组件。目前，有很多线索可供其他读者提出建议并谈论某些选择的优缺点，其中许多可以帮助解决问题或帮助超频。您并不孤单，所以不要害羞-也可以直接与我联系。最后，请留意主板的BIOS更新，因为其中一些更新可能包括AGESA更新，从而提高了内存超频能力。
特别感谢AMD，并分别感谢James Prior和Steve Bassett提供的样品。我还要感谢Adam J Cain的设计帮助和TechpowerUp的全方位帮助。
我计划不断更新和补充本指南。也许，其他测试将添加到游戏部分。请在评论部分中留下一些改进意见。